Charakterisierung ferroelektrischer Feldeffekttransistoren und Anwendung in Speicherfeldern für In-Memory-Computing
Ferroelektrische Feldeffekttransistoren (FeFET), bei denen im Gate-Stapel Hafniumoxid integriert ist, zeigen ein großes Potenzial für effiziente und leistungsfähige nichtflüchtige Speicher. Vorteilhaft ist, dass sich durch eine Spannungssteuerung der Polarisationsrichtung der Ladungstransport im Transistorkanal ...